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IS43LR16800F-6BL-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:33:28 查看 阅读:35

IS43LR16800F-6BL-TR 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的移动式DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该器件的容量为128Mb,组织为16M x 8或8M x 16,支持自动刷新和自刷新功能,适用于需要高速数据存取的便携式电子设备。

参数

容量:128Mb
  组织方式:16M x 8 / 8M x 16
  电压:1.7V - 3.3V
  时钟频率:166MHz
  封装:54-ball FBGA
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:8/16位
  封装尺寸:6mm x 8mm
  最大访问时间:5.4ns
  刷新周期:64ms

特性

IS43LR16800F-6BL-TR 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片,广泛应用于各类需要高速存储的嵌入式系统和便携设备中。该芯片支持两种数据宽度配置,分别为8位和16位模式,使得设计者能够根据系统需求灵活选择。其工作电压范围为1.7V至3.3V,具有良好的电源适应性,同时在低电压工作状态下仍能保持稳定性能。
  这款DRAM芯片支持自动刷新和自刷新功能,能够有效减少外部控制器的负担,提高系统效率。自动刷新模式下,芯片内部的刷新计数器自动控制刷新操作,而自刷新模式则允许在低功耗状态下维持数据完整性,非常适合电池供电设备使用。
  IS43LR16800F-6BL-TR 的时钟频率高达166MHz,数据访问时间仅为5.4ns,具备出色的高速性能。其采用了54-ball FBGA封装,尺寸为6mm x 8mm,符合现代便携设备对小型化和轻量化的要求。此外,芯片支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),可在各种恶劣环境下稳定运行。
  该芯片还具备低功耗特性,在移动设备中能够显著延长电池寿命。其内部设计优化了电流消耗,支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式等。这些特性使得IS43LR16800F-6BL-TR 成为智能手机、平板电脑、工业控制设备以及网络通信设备中的理想选择。

应用

IS43LR16800F-6BL-TR 主要应用于需要高速、低功耗存储的便携式电子产品和嵌入式系统中。例如,该芯片常用于智能手机和平板电脑中的缓存或临时数据存储,以提升系统运行速度和响应能力。此外,它也适用于各类工业控制设备,如工业计算机、数据采集系统和自动化控制设备,为这些系统提供高效、稳定的存储支持。
  在网络通信设备中,如路由器、交换机和无线基站等,IS43LR16800F-6BL-TR 可用于高速数据缓冲,提高数据处理效率。其自刷新和自动刷新功能对于需要长时间运行的通信设备来说尤为重要,能够保证数据完整性并降低功耗。
  由于其小型化的封装设计和宽温工作特性,该芯片也广泛应用于汽车电子系统中,如车载导航系统、信息娱乐系统和车载监控设备。在这些应用场景中,IS43LR16800F-6BL-TR 不仅提供了高性能的存储解决方案,还能在复杂温度环境下保持稳定工作。
  此外,该芯片还适用于消费类电子产品,如数码相机、便携式游戏机和智能穿戴设备,为这些设备提供高效能的临时数据存储,提升用户体验。

替代型号

IS43LR16400F-6BL-TR, IS43LR16800F-6A-TR, IS48C16E1A0A-6BLI

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IS43LR16800F-6BL-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织8 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体BGA-60
  • 存储容量128 MB
  • 最大时钟频率166 MHz
  • 访问时间6 ns
  • Supply Voltage - Max1.95 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量2000