NRVBA160NT3G 时间：2025/5/8 16:48:01 阅读：11

NRVBA160NT3G 是一款基于 N 沟道增强型 MOSFET 的功率半导体器件，主要用于开关和负载控制应用。该型号采用 LFPAK88 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于汽车电子和其他工业领域中的大电流应用。这款 MOSFET 具备出色的热性能和电气特性，能够显著降低功耗并提高系统的整体效率。
　　该产品符合 AEC-Q101 标准，适合在恶劣环境下工作，广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池保护以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：160A
　　导通电阻（典型值）：0.75mΩ
　　栅极电荷：20nC
　　开关速度：快速
　　封装类型：LFPAK88
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃

特性

NRVBA160NT3G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗，从而提升系统效率。
　　2. 高额定电流能力 (高达 160A)，使其非常适合需要处理大电流的应用。
　　3. 快速开关能力，有助于降低开关损耗，并支持高频操作。
　　4. 符合汽车级标准 (AEC-Q101)，确保其在极端温度和振动条件下的可靠性。
　　5. LFPAK88 封装提供卓越的散热性能，同时支持表面贴装工艺以简化生产流程。
　　6. 支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，提高了系统的安全性和稳定性。
　　此外，该器件还具备较低的栅极电荷和输出电容，进一步优化了动态性能。

应用

NRVBA160NT3G 广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS)、制动系统和空调压缩机。
　　2. 工业设备中的 DC-DC 转换器和逆变器。
　　3. 大功率电机驱动器和伺服控制系统。
　　4. 电池管理系统 (BMS)，用于电动车和储能设备。
　　5. 各类负载开关和配电应用。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，NRVBA160NT3G 成为众多高性能电力电子应用的理想选择。