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IXBT6N170 发布时间 时间:2025/8/6 8:52:59 查看 阅读:33

IXBT6N170 是一款由 IXYS 公司生产的高电压、高功率双极型晶体管(BJT),主要用于工业电源、开关电源(SMPS)以及高功率脉冲应用中。这款晶体管采用了先进的硅技术,具有优异的热稳定性和可靠的开关性能,能够在高电压和高电流条件下稳定工作。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):1700V
  最大集电极电流(IC):6A(连续)
  最大功耗(PD):100W
  最大工作温度:150°C
  封装类型:TO-247
  增益(hFE):30-120(取决于工作电流)
  过渡频率(fT):4MHz
  存储温度范围:-55°C至150°C

特性

IXBT6N170 具有出色的高压耐受能力和高电流处理能力,使其适用于高功率密度和高可靠性要求的应用。该晶体管的封装设计(TO-247)有助于有效散热,从而在高功率应用中保持稳定的工作温度。其增益范围(hFE)根据工作电流的不同而变化,确保在不同负载条件下都能实现良好的放大性能。此外,该器件的过渡频率(fT)为4MHz,表明它能够在中高频范围内提供良好的开关性能。该晶体管还具备良好的抗短路能力和热保护特性,进一步增强了其在严苛工作环境中的可靠性。IXBT6N170 的设计确保了其在高电压和高电流条件下的稳定性和耐用性,非常适合用于工业电源和开关电源系统。

应用

IXBT6N170 主要应用于高功率开关电源(SMPS)、工业电源、电机驱动、焊接设备、UPS(不间断电源)系统以及各种高电压、高电流的脉冲应用。此外,该晶体管也可用于高频功率转换器和功率放大器设计。

替代型号

IXBT6N150, IXBT8N170

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IXBT6N170参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列BIMOSFET™
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.4V @ 15V,6A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)12A
  • 功率 - 最大75W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
  • 供应商设备封装TO-268
  • 包装管件