KDV1472 时间：2025/12/28 16:06:19 阅读：10

KDV1472 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换器、马达控制和 DC-DC 转换器等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：75A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 3.8mΩ（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220 或 TO-247

特性

KDV1472 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作状态下功率损耗显著降低，从而提高了整体效率。此外，该器件采用先进的沟槽式结构设计，优化了导通性能并增强了热管理能力。
　　其高耐压特性（Vds 为 100V）使其适用于多种中高功率应用，例如汽车电子、工业电源和电池管理系统。KDV1472 的最大连续漏极电流可达 75A，在短时间内能够承受更高的电流冲击，具备良好的过载能力。
　　该 MOSFET 还具有良好的栅极稳定性，支持宽范围的栅极驱动电压（±20V），适用于不同的控制电路设计。同时，其封装形式（如 TO-220 或 TO-247）便于散热，提高了器件在高功率应用中的可靠性。

应用

KDV1472 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。在电源管理领域，它常用于同步整流器、DC-DC 转换器以及负载开关电路。在工业控制方面，该器件可用于马达驱动器和逆变器设计，提供稳定的高电流输出。此外，KDV1472 也广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）以及电池管理系统（BMS）等场景。
　　由于其低导通电阻和优异的热性能，KDV1472 还适用于高密度电源模块和高效率电源适配器的设计。该器件的高耐压和高电流能力使其在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统和工业自动化设备中具有广泛的用途。