QM13125TR13-10K 时间：2025/8/16 0:59:41 阅读：33

QM13125TR13-10K 是一款由Qorvo公司生产的射频(RF)晶体管，主要用于高频率信号放大和射频功率放大应用。该器件采用硅基双极型晶体管技术（SiGe Bipolar Transistor），具备优良的高频性能和低噪声特性。它广泛应用于无线通信系统、射频前端模块、无线基础设施和测试设备等领域。QM13125TR13-10K 采用紧凑的表面贴装封装（SOT-343），适合高密度PCB布局。

参数

类型: NPN型SiGe RF晶体管
　　频率范围: DC至6 GHz
　　最大工作频率(fT): 10 GHz
　　集电极-发射极击穿电压(VCEO): 12V
　　集电极电流最大值(IC): 150 mA
　　功率耗散(PD): 300 mW
　　封装类型: SOT-343
　　工作温度范围: -40°C至+150°C

特性

QM13125TR13-10K 具有卓越的高频性能，适用于从DC到6 GHz的宽带应用。该晶体管采用先进的SiGe工艺制造，具备高增益和低噪声系数，非常适合用于低噪声放大器（LNA）和前置放大器设计。
　　其SOT-343封装形式不仅体积小巧，便于在高密度PCB上布局，还具备良好的热稳定性和高频响应特性。此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，适用于多频段和宽带通信系统的信号放大需求。
　　在可靠性方面，QM13125TR13-10K具备良好的ESD（静电放电）保护性能，并能在-40°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适合工业级和通信设备的严苛环境要求。

应用

QM13125TR13-10K 主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、微波通信设备以及测试测量仪器中的射频放大器部分。其高频率响应和低噪声特性也使其适用于卫星通信、雷达系统和无线局域网(WLAN)等领域的前置放大器设计。
　　由于其优异的宽带性能，该晶体管还常用于软件定义无线电(SDR)平台、射频识别(RFID)读写器、物联网(IoT)通信模块等新兴应用。此外，在工业自动化和远程监测系统中，QM13125TR13-10K 也常被用于构建高灵敏度的射频接收前端。