时间：2025/6/14 8:56:43
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SI4943DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理、电机驱动和信号切换应用。它能够承受高达 -55V 的漏源电压，并且具有较低的导通电阻以提高效率。
该 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的功率控制等。
最大漏源电压(Vds)：-55V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：-2.8A
导通电阻(Rds(on))：60mΩ (在 Vgs=10V 时)
总功耗(Ptot)：1.1W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252(DPAK)
SI4943DY-T1-GE3 提供了以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，使得其非常适合高频开关应用。
3. 较高的漏源电压 (-55V)，增强了器件在多种环境下的耐压能力。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，使其能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计，满足现代电子产品的绿色要求。
6. 高可靠性，适合工业及汽车级应用需求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率转换与控制。
2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
3. 电池保护电路和负载开关的应用。
4. 电机驱动和逆变器控制。
5. 过流保护、短路保护等安全相关的电路设计。
6. 便携式电子设备中的高效功率管理模块。
7. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输部分。
SI4944DY, SI4945DY
