时间：2025/5/8 17:53:55
阅读：5
GSA11N80E 是一款 N 沣道通态 MOSFET，采用 TO-247 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 80V，持续漏极电流可达 11A（在特定条件下），并且具备较低的栅极电荷，有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压：80V
持续漏极电流：11A
导通电阻：2.5mΩ（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：35nC（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
GSA11N80E 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，得益于其较小的栅极电荷。
3. 支持高频操作，适用于开关频率较高的应用环境。
4. 提供出色的热稳定性，允许在较高温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电路设计中。
GSA11N80E 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动器中的功率级控制。
3. 逆变器和 UPS 系统的关键功率元件。
4. 各种工业自动化设备中的负载切换功能。
5. 高效能量管理模块，如太阳能逆变器或电池管理系统 (BMS)。
IRFZ44N, STP11NK60Z, FDP11N80Z
