时间：2025/6/16 15:17:01
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GA0805H392KBXBT31G 是一款由东芝（Toshiba）制造的高性能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于 U-MOS VIII-H 系列，采用 TO-263-3 封装形式。此型号专为低导通电阻和高效率应用而设计，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等功率电子设备中。
这款芯片的主要特点是其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和出色的开关性能，能够在高频条件下提供高效的功率转换。此外，它具有良好的热稳定性和耐受雪崩能力，适合在严苛的工作环境中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：40 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
连续漏极电流 (Id)：41 A
脉冲漏极电流 (Idm)：123 A
导通电阻 (Rds(on))：2.7 mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷 (Qg)：70 nC (典型值)
总电容 (Ciss)：4250 pF (典型值)
开关时间：ton=18 ns，toff=35 ns (典型值)
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
GA0805H392KBXBT31G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流 (41A)，支持大功率应用场景。
3. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 支持宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适应多种工业和汽车级应用需求。
6. 耐雪崩能量能力强，增强了器件在异常条件下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
8. 采用 TO-263-3 封装，便于安装和散热设计。
GA0805H392KBXBT31G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换元件。
5. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
7. 可再生能源系统 (如太阳能逆变器) 中的功率管理组件。
GA0805H392KBT31G
IRFZ44N
FDP5500
STP40NF06L
