时间：2025/4/27 18:56:14
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SI4925DDY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，能够提供低导通电阻和高效率，适用于高频开关应用。它具有出色的开关特性和热性能，广泛用于 DC-DC 转换器、负载点转换器、电机驱动以及便携式设备中的电源管理。
这款 MOSFET 的封装形式为 ThinSOT23-6L，有助于节省电路板空间，同时支持表面贴装技术（SMD），适合自动化生产。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：7.6A
导通电阻(RDS(on))：6mΩ（在 VGS=4.5V 时）
栅极电荷(Qg)：10nC
总电容(Ciss)：130pF
工作温度范围(TJ)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：ThinSOT23-6L
SI4925DDY-T1-GE3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 小尺寸 ThinSOT23-6L 封装，节省 PCB 空间并简化设计布局。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素。
5. 支持高电流操作，同时保持较低的温升，确保可靠性和稳定性。
6. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境下的使用需求。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备及消费类电子产品的电源管理模块。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或开关管。
3. 负载点转换器 (POL) 和分布式电源架构中的高效功率转换。
4. 电池供电系统的充放电控制。
5. 各种小型电机驱动和继电器控制。
6. 可携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的内部电源电路。
SI4417DY, SI4446DY
