时间：2025/4/29 15:50:22
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5AGXBA7D6F31C6N 是一款高性能的工业级功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电源等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效提升系统的效率与稳定性。
其设计适用于高电流和高频应用场合，同时具有出色的热性能和可靠性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
类型形式：TO-220
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
开关频率：最高 500kHz
5AGXBA7D6F31C6N 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），可大幅降低功率损耗，提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度使其非常适合高频应用场景，减少开关损耗。
3. 高额定电流能力（30A）确保其在大功率应用中表现出色。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃）使其适应各种极端环境条件。
5. 内置过温保护功能，增强器件的可靠性与安全性。
6. 封装形式为 TO-220，便于散热并简化安装流程。
这款功率 MOSFET 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 工业设备中的电机驱动电路。
3. 电动车及电动工具中的电池管理系统。
4. LED 驱动器以实现高效亮度调节。
5. 各种 DC-DC 转换器模块。
6. 太阳能逆变器的核心功率控制单元。
IRFZ44N
FDP5800
STP30NF06L
