时间：2025/4/29 15:00:00
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SI4816DY-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点，适用于多种功率转换应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理电路。
该芯片的工作电压范围较宽，可承受较高的漏源极电压，同时具备良好的电流处理能力，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的要求。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗：17W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用场合。
3. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
4. 小尺寸封装，便于 PCB 布局和系统集成。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提高可靠性。
7. 提供强大的浪涌电流能力，增强了短路保护功能。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 各类电机驱动应用，如无刷直流电机控制。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED 照明系统的恒流驱动。
6. 通信电源和分布式电源架构中的功率级元件。
7. 汽车电子领域中的各种功率控制模块。
SI4819DY, SI4824DP, IRF3205
