时间：2025/5/22 11:59:25
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BU4819G-TR 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型封装，适合在空间受限的应用中使用。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于各种电源管理和信号切换场景。
BU4819G-TR 的主要特点是其出色的效率和可靠性，使其成为便携式设备、消费类电子以及工业控制等领域的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：55mΩ
栅极电荷：7nC
功耗：1.3W
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
BU4819G-TR 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，适用于高频应用环境。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
4. 高耐热能力，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使 BU4819G-TR 在众多 MOSFET 器件中脱颖而出，特别适合需要高效能和紧凑设计的场合。
BU4819G-TR 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑等的负载开关。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
5. 工业设备中的信号切换与驱动。
由于其高效的特性和紧凑的尺寸，BU4819G-TR 成为现代电子设计中的热门选择。
BU4819GW-E3
