时间：2025/4/30 15:27:08
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SI2308DS-T1是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用小型化的DFN5060-12封装，具有极低的导通电阻（Rds(on)），非常适合用于开关电源、负载开关、电机驱动和DC/DC转换器等应用。由于其卓越的性能和紧凑的尺寸，这款MOSFET广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制系统中。
该器件的工作电压范围为30V，并且能够在高频开关条件下提供高效率和良好的散热表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：4.9nC
输入电容：590pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：DFN5060-12
SI2308DS-T1采用了先进的制造工艺，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（典型值为3.5mΩ），能够降低功耗并提升系统效率。
2. 小巧的DFN5060-12封装设计，有助于节省PCB空间。
3. 高速开关能力，适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性，在较宽的工作温度范围内表现出色。
5. 提供优秀的ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保无铅。
SI2308DS-T1适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC/DC转换器的核心功率级元件。
3. 负载开关用于便携式设备如智能手机和平板电脑。
4. 电机驱动控制电路，特别是在小功率直流电机领域。
5. 工业自动化设备中的信号切换与功率传输。
6. 充电器、适配器以及其他消费类电子产品的功率管理模块。
SI2305DS-T1
SI2306DS-T1
SI2307DS-T1
