晶体管类型：NPN型双极性晶体管（BJT）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

KRC854U-RTK晶体管具有多项优良特性，适用于广泛的电子应用领域。其主要特性包括：
　　1. **高电流增益**：KRC854U-RTK的电流放大系数（hFE）在不同工作条件下可达到110至800之间，具体数值取决于工作电流和电压。这种高增益特性使其非常适合用于信号放大和开关电路中，能够有效提升电路的驱动能力和响应速度。
　　2. **良好的频率响应**：该晶体管的过渡频率（fT）通常可达100MHz以上，适用于中高频放大电路和射频应用。这使得KRC854U-RTK在音频放大器、振荡器和调制电路中表现出色。
　　3. **低饱和电压**：KRC854U-RTK在导通状态下的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）较低，通常小于0.2V（在IC=100mA时）。这有助于减少功率损耗，提高能效，特别是在开关电源和数字逻辑电路中表现优异。
　　4. **热稳定性好**：该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，在不同温度环境下仍能保持稳定的工作性能。其最大工作温度可达+150℃，适合在高温环境下使用。
　　5. **小尺寸封装**：KRC854U-RTK采用SOT-23（SC-59）封装，尺寸小巧，适合在高密度PCB设计中使用，便于实现自动化贴片生产和节省电路板空间。
　　6. **成本效益高**：由于其广泛的应用和成熟的生产工艺，KRC854U-RTK具有较高的性价比，是许多通用电子设计中的首选晶体管之一。

KRC854U-RTK晶体管由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于多种电子电路中。其主要应用包括：
　　1. **音频放大器**：在低功率音频放大电路中，KRC854U-RTK可以作为前置放大器或驱动级放大器使用，提供高增益和低失真的信号放大效果。
　　2. **开关电路**：由于其低饱和电压和快速开关特性，KRC854U-RTK常用于数字电路中的开关控制，如继电器驱动、LED显示控制、电机控制等。
　　3. **电源管理**：在DC-DC转换器、稳压电路和电池充电管理电路中，该晶体管可用于实现高效的能量传输和调节。
　　4. **数字逻辑电路**：KRC854U-RTK可以用于构建基本的逻辑门电路，如与门、或门和非门，适用于简单的数字信号处理。
　　5. **传感器接口电路**：在传感器信号调理电路中，该晶体管可用于放大微弱的传感器信号或作为开关控制元件，实现对传感器的精确控制。
　　6. **无线通信模块**：在低频无线通信模块中，KRC854U-RTK可用于构建振荡器、调制器或放大器电路，提供稳定的信号处理能力。

2N3904, BC847, 2N2222, PN2222, MMBT3904