时间：2025/5/21 22:02:55
阅读：7
SI3407DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和优异的开关性能，适用于高频、高效能的电源管理应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计场景。
型号：SI3407DV-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：62A
Qg（栅极电荷）：9nC
EAS（雪崩能量）：245mJ
封装：TO-263-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3407DV-T1-GE3 的主要特点是采用了先进的 TrenchFET 技术，使得其具备超低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了系统效率。
此外，该器件还具有高电流承载能力和快速开关速度，能够在高频条件下保持高效的性能。
其坚固的结构设计也增强了对热应力和电气瞬态的耐受能力，进一步提升了可靠性和稳定性。
在实际应用中，它能够满足各种严苛环境下的需求，同时支持更小尺寸的设计方案以节省电路板空间。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC/DC 转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及电池保护等场合。
由于其出色的性能指标，特别适合于需要高效能和紧凑设计的应用领域，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、通信设备电源模块以及工业自动化控制中的功率转换部分。
SI3406DS-T1-E3
IRLR7843PbF
FDP16N30L
