时间：2025/6/18 22:50:23
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SI2341的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小尺寸封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用领域。其 T1-E3 版本采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式，具备良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：9nC
开关速度：快
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2341DS-T1-E3 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，在典型值为 70mΩ 时可以显著减少传导损耗，提高整体系统效率。
该器件还具备较低的栅极电荷 Qg，有助于实现快速开关并降低开关损耗。
其小型 DPAK 封装非常适合空间受限的应用场景，并且能够提供足够的散热能力以应对中高功率需求。
此外，该器件符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，环保且可靠。
这款 MOSFET 广泛应用于消费类电子产品中的电源管理模块，例如笔记本电脑适配器、平板充电器以及 USB-PD 控制电路。
它也适用于工业设备中的 DC-DC 转换器设计，如通信基站电源、LED 驱动器等。
由于其出色的热特性和电气性能，还可用于汽车电子中的负载开关和电池保护电路。
SI2302DS, FDP014N06L, AO3400
