时间：2025/8/14 20:00:03
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SS10200FL_R1_00001 是一款由 Silicon Storage Technology（SST）公司生产的串行闪存存储器芯片。该芯片采用先进的 SuperFlash 技术，提供高性能和高可靠性，适用于需要非易失性存储解决方案的多种应用。SS10200FL_R1_00001 通常用于嵌入式系统、工业控制、网络设备以及消费类电子产品中，作为程序存储或数据存储的介质。
容量：2 Mbit
电压范围：2.7V - 3.6V
接口类型：SPI（串行外设接口）
最大时钟频率：80 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8引脚 SOIC
擦写周期：100,000 次
数据保持时间：100 年
写保护功能：软件和硬件写保护
支持快速读取模式：是
SS10200FL_R1_00001 的核心特性之一是其采用的 SuperFlash 技术，该技术提供了优异的擦写耐久性和数据保持能力，使其在恶劣环境下也能稳定工作。该芯片支持 SPI 接口，便于与主控芯片进行通信，并且具备快速读取模式，可以显著提高数据传输效率。
此外，SS10200FL_R1_00001 提供软件和硬件写保护功能，可以防止意外写入或擦除操作，确保关键数据的安全性。其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，适应多种电源设计需求，且在宽温范围（-40°C 至 +85°C）内均能稳定运行，适用于工业级应用。
该芯片的擦写周期可达 100,000 次，数据保持时间长达 100 年，这使得它在需要长期稳定存储数据的场景中表现出色。8引脚 SOIC 封装设计则有助于节省 PCB 空间，适用于紧凑型设备。
SS10200FL_R1_00001 主要应用于嵌入式系统中的固件存储，例如工业控制设备、通信设备、医疗仪器、消费类电子产品等。其高可靠性和宽温特性使其在工业自动化和汽车电子领域也具有广泛应用，如用于存储传感器数据、校准参数或程序代码。
在物联网（IoT）设备中，该芯片可作为非易失性存储器，用于存储配置信息和固件升级数据。此外，在网络设备中，SS10200FL_R1_00001 也常用于存储启动代码和配置文件，确保设备在断电后仍能正常启动和运行。
SST25VF020B, MX25L2006E, W25Q20JV
