时间：2025/5/7 12:21:59
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BR24T128FJ-WGE2 是由富士通（现为 KIOXIA 子公司）生产的一款 FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。FRAM 结合了 RAM 的高速读写特性和闪存的非易失性，使其非常适合需要频繁数据写入和低功耗的应用场景。该型号具有 128Kb 的存储容量，采用 SPI 接口进行通信，工作电压范围广，且具备高可靠性及长寿命的特点。
存储容量：128Kb
接口类型：SPI
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WLCSP-8 (晶圆级芯片尺寸封装)
页大小：32 字节
擦写次数：10^12 次
数据保持时间：10 年
BR24T128FJ-WGE2 的主要特点是结合了 FRAM 技术的优势，提供非易失性存储的同时支持快速读写操作。它无需数据刷新即可长期保存信息，并具有极高的耐用性，适合工业、医疗和消费类电子设备中的数据记录任务。
其 WLCSP-8 封装形式使其非常紧凑，适合空间受限的设计环境。此外，由于其低功耗特性，在电池供电应用中表现优异。
与传统 EEPROM 和闪存相比，BR24T128FJ-WGE2 的写入速度更快且无需写前擦除周期，同时在抗辐射性能上也表现出色。
该芯片广泛应用于需要可靠、快速存储的场合，包括但不限于：
- 工业自动化中的实时数据记录
- 医疗设备中的状态监测和日志存储
- 计量仪表（如智能电表、水表）的数据存储
- 消费类电子产品中的配置参数保存
- 物联网设备中的数据缓存与断电保护
MB85RS128TY, FM25L16B
