电容值：100 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：50 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402 (1.0 mm x 0.5 mm)
　　介质材料：NP0/C0G
　　ESR（等效串联电阻）：< 0.1 Ω
　　自谐振频率（SRF）：> 1 GHz

SMV1235 电容器具有多项显著的特性，使其在射频和微波应用中表现出色。
　　首先，其采用了 NP0/C0G 介质材料，这种材料在温度变化时表现出极低的电容漂移，确保了电容器在不同工作条件下的稳定性。NP0/C0G 材料的温度系数为 0 ppm/°C，使得该电容器在需要高精度和稳定性的应用中非常受欢迎。
　　其次，SMV1235 的封装尺寸为 0402（1.0 mm x 0.5 mm），非常小巧，适合用于高密度 PCB 设计。这种小型封装不仅节省了空间，还减少了寄生电感，从而提高了高频性能。
　　此外，该电容器的额定电压为 50 V，适用于中高压应用。其工作温度范围为 -55°C 至 +125°C，确保了在极端环境下的可靠性。
　　SMV1235 的低插入损耗和高自谐振频率（SRF）也是其重要特点。自谐振频率大于 1 GHz，使其在高频电路中能够有效工作，而不会因寄生电感而影响性能。
　　最后，该电容器具有非常低的等效串联电阻（ESR），通常小于 0.1 Ω。低 ESR 有助于减少信号损耗，提高电路的效率，并在高频下提供更好的滤波性能。

SMV1235 多层陶瓷电容器主要应用于射频和微波电路中，适合各种高要求的电子设备。
　　在射频前端模块中，SMV1235 常用于滤波器、匹配网络和去耦电路，以确保信号的稳定传输并减少噪声干扰。由于其优异的高频性能和低插入损耗，该电容器非常适合用于 5G 通信设备、Wi-Fi 模块、蓝牙模块和射频识别（RFID）系统。
　　此外，SMV1235 也广泛应用于雷达系统、测试设备和测量仪器中。在这些应用中，电容器的稳定性和可靠性至关重要，而 SMV1235 的 NP0/C0G 介质材料确保了其在不同温度和电压条件下的电容值稳定不变。
　　在电源管理电路中，SMV1235 可用于去耦和旁路应用，以减少电源噪声并提高电路的稳定性。其低 ESR 和高自谐振频率使其在这些应用中表现出色，能够有效滤除高频噪声。
　　在汽车电子系统中，如车载通信模块和传感器接口电路，SMV1235 的宽工作温度范围（-55°C 至 +125°C）使其能够在极端环境条件下可靠运行。
　　总之，SMV1235 是一款适用于多种高频和高性能应用的多层陶瓷电容器，凭借其优异的电气性能和机械特性，广泛应用于现代通信和电子系统中。

AVX 04023D101JAT2A, TDK C0805C101J5GACTU, Kemet C0402C101JGACTU