时间：2025/5/30 14:18:05
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SI2315DS 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沟道增强型 MOSFET，采用微型 DPAK 封装（TO-263），适用于高频开关应用和功率管理电路。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性，广泛应用于工业和消费电子领域。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
栅极电荷：27nC
总电容（Ciss）：1950pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI2315DS 提供了极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了功率损耗并提高了效率。
该器件具备出色的热性能，能够在高电流密度下稳定运行。
其快速开关能力使其非常适合高频 DC-DC 转换器、同步整流和负载切换等应用。
封装设计紧凑，便于 PCB 布局优化。
此外，器件符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
SI2315DS 主要应用于以下领域：
1. 高效 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 同步整流电路中的主开关或续流二极管替代品。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统中的负载切换控制。
5. 电信设备和计算机电源中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器设计。
SI2306DS, SI2317DS
