STR-G6551 是一款由 Sanken(三垦)公司生产的高集成度电流模式 PWM 控制器 IC,专为开关电源(SMPS)设计。该芯片内部集成了功率 MOSFET,适用于反激式(Flyback)拓扑结构的电源设计,广泛用于适配器、充电器、小型电源模块等应用。STR-G6551 具备良好的稳定性和高效率,同时具备多种保护功能,如过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和过热保护(OTP),以确保系统的安全运行。
封装类型:DIP-7
工作电压范围:9 V 至 264 V(宽电压输入)
输出功率(典型值):15W
开关频率:67 kHz
最大占空比:65%
输出驱动能力:MOSFET 集成,最大电流 1.2A
启动电流:<10uA
工作温度范围:-20°C 至 100°C
STR-G6551 采用电流模式控制,提供快速的负载响应和良好的线路稳定性,适用于多种输入电压条件下的电源转换应用。
芯片内部集成高压 MOSFET,简化了外围电路设计,降低了整体成本,同时也提高了系统的可靠性。
其内置的多种保护机制,包括过载保护、过压保护、欠压锁定以及过热保护,能够有效防止系统在异常情况下损坏,提升了电源系统的安全性与稳定性。
此外,该器件具有低启动电流和低工作电流,有助于提高电源的轻载效率,适用于待机功耗要求较高的设备。
STR-G6551 还具备良好的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行,适合工业级和消费类电子产品应用。
STR-G6551 主要用于小功率开关电源设计,如手机充电器、笔记本电脑适配器、LED 驱动电源、智能电表、工业控制设备以及家电产品中的电源模块。由于其集成度高、外围元件少、易于设计,因此在消费类电子产品和工业电源系统中得到了广泛应用。
STR-G6551 可以考虑使用 STR-G6551D、FAN6755、SG6551、VIPER12A 等型号进行替代。在选择替代芯片时,需确保其集成的 MOSFET 耐压和电流能力、控制模式、封装形式以及保护功能与原型号兼容,以保证电源系统的正常运行。