时间：2025/9/1 9:15:01
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IS61WV1288EEBLL-10HLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用CMOS工艺制造，具有高速、低功耗和高可靠性等特点。这款SRAM的容量为128K x 8位，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统和工业控制设备。IS61WV1288EEBLL-10HLI采用48引脚TSOP封装，工作温度范围为-40°C至+85°C，适合工业级应用。
容量：128K x 8位
访问时间：10ns
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：48引脚TSOP
接口类型：并行异步接口
最大工作频率：100MHz（对应10ns访问时间）
数据保持电压：1.5V
输入/输出电平：CMOS兼容
IS61WV1288EEBLL-10HLI具有多个关键特性，使其适用于高性能存储应用。
首先，该芯片的访问时间为10ns，这意味着它可以在100MHz的频率下稳定运行，非常适合需要快速数据访问的实时系统。
其次，该SRAM支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其能够在不同电源环境下稳定工作，并具有良好的兼容性。
此外，该器件采用CMOS技术，具有较低的功耗，尤其是在待机模式下，其功耗极低，适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。
IS61WV1288EEBLL-10HLI还支持数据保持模式，在VDD降至1.5V时仍能保持数据，有助于在系统掉电时保护关键数据。
最后，其封装为48引脚TSOP，体积小且便于PCB布局，适用于空间受限的设计。
IS61WV1288EEBLL-10HLI广泛应用于需要高速缓存、数据缓冲或临时存储的嵌入式系统中。
例如，该芯片常用于工业控制设备、通信模块、网络设备和测量仪器中，作为主控处理器的外部存储器，用于高速缓存程序代码或临时数据。
在工业自动化系统中，它可以作为PLC（可编程逻辑控制器）的高速数据存储单元，提高系统响应速度。
另外，该SRAM也适用于需要可靠数据存储的医疗设备和测试仪器，确保数据在断电情况下不丢失。
由于其工业级温度范围，IS61WV1288EEBLL-10HLI也适用于户外设备、车载电子系统和航空航天等苛刻环境下的应用。
IS61WV1288EEBLL-10HBLI, IS61LV1288EEBLL-10BLLI, CY62148EVLL-45ZSXE, IDT71V128SA10PFGI
