时间：2025/9/14 10:59:22
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PBSS5160DS,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和更高的功率密度，从而降低了导通损耗并提高了整体系统效率。其SOT1220封装（也称为LFPAK56）是一种表面贴装封装，具有良好的热性能和较高的机械可靠性，适合自动化装配。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：60V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100A（在Tc=25°C）
最大功率耗散(PD)：150W（在Tc=25°C）
工作温度范围：-55°C至175°C
导通电阻(RDS(on))：典型值为3.8mΩ（在VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：典型值为85nC（在VGS=10V）
封装类型：SOT1220（LFPAK56）
PBSS5160DS,115 的主要特性包括：低导通电阻（RDS(on)）：这降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。高电流承载能力：该器件支持高达100A的连续漏极电流，适用于高功率应用。高耐压能力：60V的漏源击穿电压使其适用于多种中等电压功率转换场景。先进的沟槽技术：提供优异的开关性能和更低的导通电阻。低栅极电荷：85nC的栅极电荷确保了快速的开关动作，从而减少了开关损耗。SOT1220（LFPAK56）封装：该封装提供了良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。宽工作温度范围：-55°C至175°C的工作温度范围确保了其在恶劣环境下的稳定性。高可靠性：该MOSFET设计用于工业级和汽车级应用，具有较长的使用寿命和稳定性。
PBSS5160DS,115 适用于多种功率电子系统，例如：DC-DC转换器：在同步整流拓扑中用作主开关，提高转换效率。电源管理单元：在服务器、PC电源和电池管理系统中用作负载开关或功率分配元件。电机驱动器：在有刷或无刷直流电机控制电路中用作功率开关。汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统、DC-DC转换器等需要高可靠性和高效率的场合。工业自动化：在PLC、伺服驱动器和工业电源中用作功率开关或负载控制元件。太阳能逆变器：用于光伏逆变器中的功率转换阶段，以提高整体系统效率。
SiHF60N100J, INF1116BB12LSA1, IPP60R1K6PFD7S, STP100N6F6
