时间：2025/6/21 11:04:59
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SI2306BDS-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸的PowerPAK? SC-70-6封装，具有低导通电阻和快速开关性能，非常适合用于便携式设备中的负载开关、DC/DC转换器、电池管理电路以及其它需要高效能功率开关的应用场景。
此器件以其出色的性能参数和紧凑的设计，成为众多现代电子设计的理想选择。
型号：SI2306BDS-T1-GE3
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
封装：PowerPAK SC-70-6
Vds（漏源极电压）：30 V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：58 mΩ @ Vgs = 4.5 V
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1 V（最大值）
Id（连续漏极电流）：2.2 A
功耗：920 mW
工作温度范围：-55°C to +150°C
SI2306BDS-T1-GE3具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低功率损耗并提升效率。
2. 小巧的PowerPAK? SC-70-6封装，适合空间受限的应用场合。
3. 快速开关能力，支持高频应用。
4. 低栅极电荷，可减少驱动损耗。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
6. 高击穿电压Vds，适用于多种电源管理方案。
这些特性使得该MOSFET在移动通信设备、消费类电子产品及工业控制领域得到广泛应用。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. DC/DC转换器和降压稳压器中的功率开关。
3. 电池保护与管理电路。
4. 数据通信接口保护。
5. 各种需要高效、小型化功率开关的应用场景。
SI2303DS-T1-GE3
SI2304DS-T1-GE3
SI2305DS-T1-GE3
