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H27UDG8VEMYR 发布时间 时间:2025/9/1 23:17:26 查看 阅读:4

H27UDG8VEMYR是一款由SK Hynix(海力士)生产的NAND闪存芯片,广泛用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储(eMMC)和大容量存储设备中。该型号属于3D NAND技术产品,具备高存储密度、低功耗和高速读写性能等特点,适用于消费类电子产品、工业控制设备、车载系统和数据中心等多种应用场景。

参数

存储类型:NAND Flash
  容量:8GB
  封装类型:TSOP
  接口:ONFI 3.0
  电压范围:1.8V - 3.3V
  读取速度:高达50MB/s
  写入速度:高达30MB/s
  擦除速度:块擦除时间约2ms
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H27UDG8VEMYR采用了先进的3D NAND闪存技术,使得芯片在保持较小物理体积的同时,提供了更高的存储密度和更长的使用寿命。其ONFI 3.0接口标准支持高速数据传输,能够有效提升系统整体性能。此外,这款芯片在设计上优化了功耗管理,支持低功耗模式,适用于对能耗敏感的设备。其宽广的工作温度范围也使其能够在恶劣环境下稳定运行。
  在可靠性方面,H27UDG8VEMYR具备出色的错误校正能力和磨损均衡算法,能够有效延长存储单元的使用寿命并提高数据完整性。同时,该芯片支持坏块管理功能,能够在出厂时或使用过程中识别并跳过不可靠的存储区域,确保数据存储的可靠性与安全性。此外,该芯片还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定工作。

应用

H27UDG8VEMYR广泛应用于多种电子设备中,包括智能手机、平板电脑、工业控制设备、智能穿戴设备、车载导航系统、安防监控设备以及固态硬盘等存储解决方案。由于其高可靠性和宽工作温度范围,这款芯片也适用于需要在极端环境条件下稳定运行的工业和车载系统。例如,在车载系统中,该芯片可用于存储导航数据、车载娱乐系统(IVI)中的多媒体内容,以及高级驾驶辅助系统(ADAS)中的关键数据。在工业控制领域,该芯片可作为PLC控制器、工业计算机和数据采集设备的主存储器。

替代型号

H27UCG8VFMZR, H27UCG8VEM, H27UCG8VEMY

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