时间：2025/5/22 11:51:05
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SI2302-HXY 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小尺寸封装，适合在空间受限的应用中使用。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频开关应用中提供高效的性能。
该 MOSFET 的设计使其适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域的电源管理电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ
栅极电荷：10nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI2302-HXY 具有以下关键特性：
1. 高效的开关性能，能够降低功耗并提高系统效率。
2. 极低的导通电阻，从而减少传导损耗。
3. 快速的开关速度，支持高频应用。
4. 小型化的封装设计，节省 PCB 空间。
5. 提供出色的热稳定性和可靠性，适应各种恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
这款 MOSFET 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流-直流转换器（DC-DC converters）。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 各种保护电路，例如过流保护和短路保护。
6. 便携式电子设备的电源管理模块。
SI2301DS, SI2303DS, BSC016N06NS
