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GA1206Y154JBBBR31G 发布时间 时间:2025/5/29 23:31:00 查看 阅读:6

GA1206Y154JBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先进的半导体制造工艺设计。该元器件通常用于需要高效率、低功耗和快速开关特性的应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
  该型号属于功率MOSFET家族的一员,主要应用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。其卓越的电气性能和可靠性使其成为众多工程师在设计阶段的首选。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:60V
  额定电流:150A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  最大功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y154JBBBR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,降低了开关损耗,提升了高频下的性能表现。
  4. 良好的热稳定性,即使在极端温度条件下也能保持稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于全球市场的要求。
  6. 封装牢固可靠,具备良好的散热性能,便于集成到复杂电路中。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,提供高效的电能转换。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
  4. 新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电系统的功率调节。
  5. 各类电池管理系统(BMS)中作为关键的功率管理元件。

替代型号

IRFP260N
  STP150N10F5
  FDP150AN
  IXFN150N10T2

GA1206Y154JBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.15 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-