NB675GLZ 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管系列。该器件设计用于高频率和高增益应用,广泛用于射频(RF)放大器、功率放大器以及无线通信系统中的关键部件。NB675GLZ采用先进的制造工艺,具备优异的热稳定性和高频响应特性,能够在较高的工作频率下提供稳定的性能表现。其封装形式为表面贴装型(SMD),适用于自动化生产流程和紧凑型电路设计。
晶体管类型:NPN 双极型晶体管
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):300 mW
频率响应(fT):250 MHz
增益带宽积(fT):250 MHz
电流增益(hFE):110 ~ 800(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOT-23(表面贴装)
NB675GLZ 的主要特性之一是其卓越的高频性能,能够在高达250 MHz的频率下保持良好的增益稳定性,非常适合用于射频和中频放大器设计。此外,该晶体管具有较高的电流增益(hFE),范围从110到800不等,具体取决于器件等级,这使得它能够灵活地适应不同的电路设计需求。
另一个显著优点是其封装形式为SOT-23,这是一种广泛使用的表面贴装封装,具有体积小、重量轻、易于自动化装配等优点。这种封装还有助于提高PCB布局的紧凑性,特别适合高密度电路板设计。
在热稳定性方面,NB675GLZ采用了优化的热管理设计,确保在较高工作电流下仍能维持良好的热性能,避免因过热导致的性能下降或损坏。此外,该晶体管具备较强的抗静电能力,增强了其在实际应用中的可靠性。
NB675GLZ还具有较低的噪声系数,这使得它在低噪声放大器(LNA)应用中表现出色,尤其是在无线通信前端电路中,有助于提升系统的整体信噪比。
NB675GLZ 主要应用于射频和中频放大器电路,特别是在无线通信系统、蜂窝基站、Wi-Fi路由器、射频识别(RFID)设备等场景中。其高频性能和高增益特性使其成为射频信号放大的理想选择。
在消费电子领域,NB675GLZ可用于蓝牙模块、无线音频传输设备以及智能穿戴设备中的射频前端电路,帮助实现稳定、高效的无线通信。
此外,该晶体管也可用于音频放大器、传感器信号调理电路、DC-DC转换器中的开关控制电路等通用模拟电路设计。其广泛的工作温度范围和良好的热稳定性,使其在工业控制、汽车电子等恶劣环境中也能稳定运行。
在射频测试设备和测量仪器中,NB675GLZ常被用作信号放大和缓冲级,以确保测试信号的准确性和稳定性。
BC847系列, 2N3904, 2N2222, BFQ59, PN2222A