类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：5A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.8Ω（在Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252等

5N20L具备多项优良特性，适用于多种功率开关应用。其最大漏源电压为200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。该器件在10V栅压下的导通电阻不超过0.8Ω，使得在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率。
　　此外，5N20L的栅极耐压能力为±30V，具备良好的抗过压能力，提升了在复杂电磁环境下的可靠性。其最大连续漏极电流为5A，在适当的散热条件下可维持稳定工作，适用于中等功率级别的开关应用。
　　该MOSFET的封装形式包括TO-220和TO-252，其中TO-220适用于通孔焊接和良好的散热性能，而TO-252则适合于表面贴装工艺，便于自动化生产。其热阻较低，能够在高功率密度设计中保持稳定的热性能。
　　5N20L的工作温度范围为-55℃至+150℃，适应了宽温度范围下的应用需求，适用于工业级和汽车电子环境。

5N20L广泛应用于各类电源管理电路中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充放电管理系统、LED驱动电路以及电机控制电路等。由于其具备较高的电压承受能力和较低的导通电阻，非常适合用于需要高效能、高稳定性的中压功率转换系统。
　　在开关电源中，5N20L可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，它常用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，以满足不同电压输出的需求。此外，5N20L也适用于负载开关、逆变器、电源适配器等电路，作为关键的功率控制元件。
　　在工业控制和消费类电子产品中，5N20L常用于驱动继电器、电机、电磁阀等负载，具备良好的开关特性和耐久性。其TO-252封装形式适用于空间受限的设计，便于实现小型化和高集成度的电路布局。

FDPF5N20、STP5NK20Z、IRF540N、6N20、7N20