工作电压：2.2V 至 5.7V（VDD）
　　输出驱动电压范围：1.8V 至 18V（OUTA/OUTB）
　　最大工作频率：50MHz
　　传播延迟：典型值50ns
　　脉宽失真：<1ns
　　隔离耐压：5.7kVRMS（符合UL1577标准）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

UCC21756-Q1具有多种先进特性，确保其在高噪声和高电压环境中的稳定运行。其内置的增强型电容隔离技术，提供了高达5.7kVRMS的隔离电压，适用于高压系统中以保护低压侧电路。
　　该芯片的两个独立通道（A和B）均可提供高达4.5A的峰值拉电流和9A的峰值灌电流能力，适用于高效驱动功率MOSFET、SiC和GaN晶体管。
　　为了提升系统可靠性，UCC21756-Q1集成了欠压保护（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时，驱动输出将被禁用，防止功率器件在非理想状态下工作。
　　此外，该器件具备出色的抗电磁干扰（EMI）能力，采用低辐射封装技术，并具有高CMTI性能，确保在高速开关环境下信号传输的完整性。
　　UCC21756-Q1支持双电源供电模式，适用于半桥、全桥和推挽式拓扑结构，广泛用于车载电源系统、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动器中。

UCC21756-Q1主要用于汽车电子中的高压功率转换系统，包括电动汽车的主逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）。
　　其高隔离电压和优异的CMTI性能使其适用于驱动碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，这些器件在新能源汽车和高效电源系统中被广泛采用。
　　此外，该芯片也适用于工业领域中的高可靠性电源系统，如工业电机驱动器、光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用。
　　由于其具备AEC-Q100认证，UCC21756-Q1特别适用于需要长期稳定性和高安全等级的汽车应用场景。

Si8235BD-C-IS, ADuM4135BRIZ-RL7