时间：2025/5/24 16:45:01
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KTC8050S-D-RTK/P 是一款高性能的场效应晶体管（FET），广泛应用于电源管理、开关电路和信号放大等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率控制场景。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，主要特点是其出色的电气性能和稳定性，使其在高频率和大电流应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1030pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提升效率。
2. 高击穿电压设计，确保在复杂电路环境下稳定运行。
3. 快速开关速度，支持高频应用需求。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下保持性能。
5. 小型封装，适合紧凑型设计要求。
6. 高可靠性，适用于长时间连续工作的场景。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电源管理和保护电路。
5. LED照明驱动电路。
6. 各种消费类电子产品中的电源转换模块。
KTC8050S-D-RTK/A, IRFZ44N, FDP5500
