SUM40N15-38-GE3 时间：2025/5/27 9:15:48 阅读：16

SUM40N15-38-GE3 是一种高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）元器件，属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该型号通常用于需要高效能和高开关速度的应用中。其设计适用于各种工业、汽车及消费电子领域，能够满足高电流、高电压工作条件下的需求。
　　该芯片具有低导通电阻、高速开关特性和出色的热稳定性等优点，这些特性使其非常适合用作电源管理中的关键组件。此外，SUM40N15-38-GE3 采用先进的封装技术以优化散热性能，并且支持表面贴装工艺以简化生产流程。

参数

最大漏源电压：150V
　　连续漏极电流：40A
　　导通电阻：3.8mΩ
　　栅极电荷：95nC
　　输入电容：2000pF
　　总功耗：160W
　　结温范围：-55℃ to +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

SUM40N15-38-GE3 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了在高电流应用中的高效能量转换。
　　2. 快速开关能力使得它非常适合高频 PWM 控制器和 DC-DC 转换器。
　　3. 高耐压能力（150V）确保其在复杂电气环境中的可靠性。
　　4. 出色的热稳定性和鲁棒性使其能够在极端温度范围内可靠运行。
　　5. 具备良好的抗雪崩能力和短路保护功能，进一步增强了其耐用性。
　　6. 表面贴装兼容性有助于提升大规模生产的效率和质量。

应用

SUM40N15-38-GE3 广泛应用于以下场景：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电机驱动和逆变器控制。
　　3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统。
　　5. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
　　6. LED 照明驱动电路和其他需要高效率和高可靠性的应用。