时间：2025/6/21 10:48:04
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SI1917EDH 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于多种电源管理及信号切换应用。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等。
该 MOSFET 的额定电压为 30V，适用于较低电压的工作环境，并且通过优化设计实现了低功耗和高效率。
最大漏源极电压：30V
连续漏极电流：8.6A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：14nC
输入电容：1250pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：DFN5x6
SI1917EDH 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗并提高系统效率。
2. 小型 DFN5x6 封装，适合空间受限的应用场景。
3. 高速开关性能，栅极电荷小，有助于实现高频操作。
4. 较宽的工作温度范围，确保在各种环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
这些特性使得 SI1917EDH 成为高效电源转换和信号切换的理想选择。
SI1917EDH 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流和降压/升压转换。
2. 手机和平板电脑中的负载开关。
3. 便携式电子设备中的电池保护电路。
4. 电机驱动电路中的功率控制。
5. 各类工业自动化和汽车电子系统的功率管理模块。
其高性能和可靠性使其成为现代电子产品中不可或缺的关键元件。
SI1916DD, SI2310DS, IRF7843
