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SI1067X-T1-GE3 发布时间 时间:2023/6/7 10:56:45 查看 阅读:517

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 1.06A, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.06A

Id 时的 Vgs(th)(最大):950mV @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:9.3nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :375pF @ 10V

功率 - 最大:236mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-89-6, SOT-563F, SOT-666

包装:带卷 (TR)

资料

厂商
VISHAY

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SI1067X-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 1.06A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.3nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds375pF @ 10V
  • 功率 - 最大236mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SC-89-6
  • 包装带卷 (TR)