SI1061-A-GMR 是一款基于巨磁阻 (GMR) 技术的线性霍尔效应传感器芯片。它能够将磁场强度的变化转换为电压信号输出,适用于需要高灵敏度和低噪声的应用场景。这款芯片集成了先进的信号调节电路,确保了输出信号的线性和稳定性。
该芯片通常用于位置检测、速度测量以及电流感应等应用领域,其独特的 GMR 技术使其在弱磁场环境下表现尤为出色。
工作电压:3.3V - 5V
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
灵敏度:5mV/Gs
带宽:10kHz
输出类型:模拟电压
静态电流:2mA
响应时间:1μs
SI1061-A-GMR 具有以下显著特性:
1. 巨磁阻 (GMR) 技术提供极高的磁场灵敏度,适用于微弱磁场环境下的精确检测。
2. 内置信号调节电路,保证输出信号的线性和稳定性,减少外部电路复杂度。
3. 宽工作电压范围,支持多种供电需求。
4. 工作温度范围广,适合恶劣环境下的工业应用。
5. 快速响应时间和低噪声设计,提高了系统的实时性和可靠性。
6. 小尺寸封装,便于集成到紧凑型设计中。
SI1061-A-GMR 芯片广泛应用于以下领域:
1. 位置传感器:如旋转编码器、角度传感器等。
2. 速度测量:用于电机转速监测、车轮速度检测等。
3. 电流感应:通过检测电流产生的磁场实现非接触式电流测量。
4. 磁场强度测量:用于实验室设备或工业仪器中的磁场监控。
5. 医疗设备:如MRI设备中的磁场分布检测。
6. 消费电子产品:如智能手机和平板电脑中的电子罗盘功能。
SI1061-B-GMR
SI1070-A-GMR
MLX90363
HMC1022