US1J_R1是一款超快恢复二极管,主要用于需要高效整流和快速开关特性的电路中。该器件采用先进的硅外延技术制造,具有优异的电气性能和可靠性。其主要特性包括低正向电压降、高浪涌电流承受能力以及极短的反向恢复时间,使其适用于高频率整流和功率因数校正(PFC)等应用。US1J_R1的封装形式通常为DO-214AC(SMA)表面贴装封装,便于在紧凑的电路板设计中使用,并具有良好的热性能。
最大重复峰值反向电压(VRRM):600V
最大平均整流电流(IO):1.0A
正向压降(VF):1.5V(最大值,IO=1.0A)
反向漏电流(IR):10μA(最大值,VR=600V)
反向恢复时间(trr):70ns(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:DO-214AC(SMA)
US1J_R1是一款高性能的超快恢复二极管,其最显著的特点是极短的反向恢复时间(trr)不超过70纳秒,使其非常适合用于高频开关电路中,如开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正电路。该器件的正向压降较低,通常在1.5V以下,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,US1J_R1具有高达1.0A的平均整流电流能力,能够在较高的电流负载下稳定工作。
该二极管还具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其采用DO-214AC(SMA)表面贴装封装,不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,适用于自动化生产和高密度电路设计。US1J_R1的反向漏电流极低,在600V反向电压下最大仅为10μA,确保了器件在高温或高电压条件下的稳定性。
另外,该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种工业级应用环境。由于其优异的电气特性和稳定的性能,US1J_R1广泛用于电源管理、电机控制、照明系统以及通信设备等电子系统中。
US1J_R1广泛应用于各类电子设备中,特别是在需要高频率整流和快速开关的电路中表现出色。它常用于开关电源(SMPS)中的整流和续流二极管,以提高电源转换效率并减少发热。此外,该器件也适用于功率因数校正(PFC)电路,用于改善电源输入的功率因数,降低电网污染。
在电机驱动和变频器系统中,US1J_R1可用于续流和反电动势抑制,保护功率晶体管免受损坏。在LED照明系统中,它可用于AC-DC整流部分,为LED驱动器提供稳定的直流输入。此外,US1J_R1还适用于充电器、适配器、DC-DC转换器以及各种工业控制设备中的电源模块。
由于其表面贴装封装形式,US1J_R1也适合用于自动化生产流程,广泛应用于消费类电子产品、汽车电子系统和通信设备中。
US1J, US1M, HER108, HER107