HG73C039FD 时间：2025/8/28 6:48:32 阅读：6

HG73C039FD 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和负载开关等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适合在中高功率应用中使用。其封装形式通常为TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Ptot）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

HG73C039FD 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其N沟道设计支持高效的开关操作，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该器件采用了东芝优化的沟槽式MOSFET结构，不仅提高了电流密度，还降低了寄生电容，从而提升了开关速度和效率。这使得HG73C039FD适用于高频率开关应用，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器等。
　　在热管理方面，TO-252封装提供了良好的散热性能，确保在高电流操作下的可靠性。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供一定的保护作用，增强系统的稳定性。
　　由于其优异的电气特性和热性能，HG73C039FD广泛用于服务器电源、电信设备、电池管理系统、电动工具、汽车电子以及工业控制设备中。其高可靠性和高效率使其成为高性能电源设计中的理想选择。