时间：2025/5/21 18:06:23
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GA0402A1R0DXBAC31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，专为高频、高功率密度应用设计。该芯片采用先进的 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
相比传统硅基 MOSFET，该型号具备更小的尺寸和更高的能效表现，能够显著降低系统损耗并提升整体性能。
型号：GA0402A1R0DXBAC31G
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压(V_DS)：600V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
导通电阻(R_DS(on))：40mΩ
连续漏极电流(I_D)：2A
脉冲漏极电流(I_PULSE)：8A
输入电容(Ciss)：1500pF
输出电容(Coss)：70pF
反向恢复时间(t_rr)：<20ns
工作温度范围(T_j)：-55°C 至 +150°C
1. 基于氮化镓技术，提供卓越的高频性能和低导通损耗。
2. 具备超低的 R_DS(on)，有效减少传导损耗。
3. 快速开关速度，可支持 MHz 级别的开关频率，适合高频率应用场景。
4. 高击穿电压能力，确保在高压环境下可靠运行。
5. 封装紧凑，有助于缩小 PCB 占用面积并简化热管理设计。
6. 优异的热稳定性，能够在极端温度范围内保持稳定性能。
7. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，提升系统可靠性。
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. DC-DC 转换器，特别是高频同步整流电路。
3. 无线充电模块中的高效能量传输。
4. 汽车电子领域，如车载充电器(OBC)和逆变器。
5. 工业自动化设备中的电机驱动与控制。
6. LED 驱动电源及光伏微型逆变器。
7. 便携式设备快充适配器的设计优化。
GA0402A1R0DXBAE21G
GAN042-650BST
STGAP100
