GJM1551C1H8R6CB01D 是一款高性能的陶瓷电容器,属于多层片式陶瓷电容器(MLCC)系列。该元器件主要应用于高频电路中,具有低ESL、高Q值和优异的温度稳定性,适合在射频和微波电路中使用。其设计符合严格的工业标准,广泛用于通信设备、医疗仪器、汽车电子以及其他需要高性能电容的应用场景。
这款电容器采用了先进的陶瓷材料工艺制造,能够提供稳定的电气性能,并且具备较强的抗机械应力能力。
封装:0402
容量:10pF
额定电压:50V
公差:±0.5pF
温度特性:C0G (NP0)
直流偏置:低
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:表面贴装
端子材料:镀锡
尺寸:0.4mm x 0.2mm
GJM1551C1H8R6CB01D 的核心优势在于其极高的稳定性和可靠性。首先,它采用了C0G(NP0)温度补偿材料,这意味着它的容量在很宽的温度范围内几乎保持恒定,温度系数仅为0ppm/℃。其次,该电容器拥有非常低的等效串联电感(ESL),这使其非常适合高频应用环境。此外,该型号还具有较高的自谐振频率(SRF),从而确保在高频段仍能保持良好的性能。
另外,GJM1551C1H8R6CB01D 的直流偏置效应极低,这意味着即使在施加直流电压的情况下,其标称容量也不会发生显著变化。这种特性对于需要高精度的电路尤为重要。同时,该产品支持回流焊工艺,易于自动化生产,并且完全满足RoHS环保要求。
该电容器适用于多种高频电子设备中的信号耦合、滤波和匹配网络。典型应用场景包括:
1. 射频前端模块中的滤波与匹配
2. 高速数据通信中的去耦
3. 医疗成像设备中的高频信号处理
4. 汽车雷达系统的信号调节
5. 工业控制中的精密振荡电路
6. 移动通信基站中的高频电路组件
GJM1551C1H8R6CB01D 因其出色的高频特性和温度稳定性,特别适合于对性能要求苛刻的无线通信领域。
GJM1551C1H10R6CB01D
GJM1551C1H15R6CB01D
KEMET C0G1002X7RF5BB100
Taiyo Yuden VMQ1C10C1H