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IRL40SC209 发布时间 时间:2025/5/16 15:27:53 查看 阅读:8

IRL40SC209是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的制程工艺制造,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频应用中提供高效的性能。
  该MOSFET适用于多种工业和消费电子场景,其坚固的设计和可靠性使得它成为许多高要求应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总功耗:75W
  工作结温范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:TO-220
  输入电容:1800pF

特性

IRL40SC209的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,能够适应高频工作环境。
  3. 高度可靠的雪崩击穿能力,确保在异常条件下依然保持稳定性。
  4. 小巧紧凑的封装设计,节省电路板空间。
  5. 具备出色的热性能,支持大电流操作且散热效果佳。
  这些特性使得IRL40SC209非常适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

应用

IRL40SC209适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 各类DC-DC转换器模块。
  3. 消费类电子产品中的负载切换。
  4. 电机驱动控制电路。
  5. 电池保护系统。
  6. 工业自动化设备中的电源管理单元。
  由于其卓越的性能表现,这款MOSFET几乎可以覆盖所有需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRLZ44N, FDP5570, STP17NF06L

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IRL40SC209参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥33.55000剪切带(CT)800 : ¥21.03445卷带(TR)
  • 系列StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)478A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.8 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)267 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15270 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装D2PAK(7-Lead)
  • 封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB