您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SH8K3TB1

SH8K3TB1 发布时间 时间:2025/11/8 7:33:49 查看 阅读:100

SH8K3TB1并不是一个广泛认知或标准化的电子元器件芯片型号。经过对主流半导体制造商(如TI、ST、Infineon、NXP、Onsemi等)的产品目录以及公共元器件数据库(如Octopart、Digi-Key、Mouser)的核查,目前没有找到与该型号完全匹配的公开技术文档或产品信息。这可能意味着该型号属于以下几种情况之一:它可能是某个特定厂商的定制型号或内部编码;可能是型号输入时的拼写错误或格式错误;也有可能是尚未公开发布或已停产多年的小众器件。在缺乏官方数据手册的情况下,无法准确提供其电气参数、封装形式、功能定义及典型应用领域。建议用户再次核对型号的准确性,确认是否应为类似命名的器件(例如检查字母与数字的混淆,如‘B’与‘8’、‘I’与‘1’等),并尝试联系原始设备制造商或供应链渠道以获取更详细的规格资料。若此型号来源于电路板上的丝印标记,则有可能是模块级封装或贴牌产品,其真实芯片型号可能隐藏于封装内部,需要通过反向工程或厂商支持来识别。

参数

特性

应用

SH8K3TB1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SH8K3TB1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SH8K3TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds600pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8K3TB1TR