时间：2025/9/14 11:50:41
阅读：4
BUK7M11-40HX 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于多种高功率应用。BUK7M11-40HX 采用 HVSON（High-Voltage Small Outline No-lead）封装，具备优良的热管理和空间节省优势，适用于紧凑型设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.7mΩ（在 VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：HVSON
BUK7M11-40HX 的核心特性之一是其超低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的 TrenchMOS 技术，提供出色的电气性能和稳定性。其 HVSON 封装不仅节省空间，还具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。
此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力，最大漏极电流可达 110A，适合高功率负载的应用。其最大漏源电压为 40V，能够满足多种中低压功率转换需求。栅源电压范围为 ±20V，提供更宽的控制灵活性。
器件的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，具备良好的耐高温性能，适合在严苛的环境条件下运行。此外，该器件的封装设计降低了寄生电感，提高了高频开关性能，适用于高频率开关电路。整体来看，BUK7M11-40HX 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于多种工业和汽车应用。
BUK7M11-40HX 广泛应用于需要高效功率管理的系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理模块以及汽车电子系统等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能电源设计的理想选择，特别是在需要紧凑布局和高可靠性要求的场合。
BUK7K11-40H，BUK7J11-40H，IRF1324S-7PPBF
