STF203-2.2TCT 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供优异的导通电阻和开关性能,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):11A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:PowerFLAT 5x6
安装类型:表面贴装
STF203-2.2TCT 具备低导通电阻,可有效减少功率损耗,提高系统效率。其先进的沟槽技术确保了优异的热性能和电气性能,同时提供良好的开关速度,减少开关损耗。
该器件的封装设计具有良好的热管理能力,可以在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。此外,其宽广的工作温度范围使其适用于严苛的工业和汽车环境。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力,增强了器件在瞬态条件下的可靠性。同时,其栅极驱动电压范围宽,兼容多种控制电路设计,便于集成到各种电源管理系统中。
STF203-2.2TCT 常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、电源管理模块等。其高效率和高可靠性使其成为工业控制、汽车电子、消费类电子产品中的理想选择。
STF203-2.2TCTR、STF203-2.2、STF203-2.2TCT-R、IRF3710、SiR144DP-T1-GE3