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SH8K2TB1 发布时间 时间:2025/11/8 3:11:46 查看 阅读:40

SH8K2TB1并非一个在主流电子元器件数据库或公开技术文献中广泛记录的标准芯片型号。经过对多个权威半导体制造商的产品目录(包括但不限于TI、ST、Infineon、NXP、ON Semiconductor等)以及大型元器件分销平台(如Digi-Key、Mouser、LCSC)的查询,均未找到与“SH8K2TB1”完全匹配且具有明确技术规格的集成电路或分立器件。该标识可能属于以下几种情况之一:首先,它可能是某个特定厂商生产的专用芯片(ASIC),其型号命名遵循内部编码规则,并未向公众发布详细数据手册;其次,该标识可能是模块、封装组件或非半导体类元件(如传感器模组、电源模块)上的批次号、序列号或定制标签,而非标准IC型号;此外,也不能排除存在拼写错误或信息不完整的情况,例如用户可能遗漏了部分前缀或后缀字符(如常见的SOT、SS、AP等前缀)。由于缺乏确切的官方资料支持,无法提供关于SH8K2TB1的技术参数、电气特性或应用场景的准确描述。建议用户检查原厂提供的BOM清单、电路板丝印信息或联系设备供应商以确认该器件的真实型号和功能定位。若能提供更多上下文信息,例如所在电路的功能、封装形式、引脚数量或其他相关电路设计细节,将有助于进一步识别该器件的身份。

参数

特性

应用

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SH8K2TB1参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 10V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,鸥翼型
  • 供应商设备封装8-SOP(5.0x6.0)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SH8K2TB1TR