时间：2025/7/9 17:26:33
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PMV15ENEA 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 P 沟道 MOSFET。该器件采用小型的 SOT-23 封装，广泛用于低功耗和空间受限的应用场合。其设计旨在提供较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于电池供电设备、负载开关、电源管理模块以及便携式电子设备中的功率控制。该元件支持快速开关，并具备良好的热稳定性和可靠性。
型号：PMV15ENEA
类型：P沟道 MOSFET
封装：SOT-23
最大漏源电压（Vds）：-30V
最大栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：-1.9A
导通电阻（Rds(on)）：140mΩ（在 Vgs=-4.5V 时）
总功耗（Ptot）：360mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
PMV15ENEA 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 支持高达 -30V 的漏源电压，适合多种应用环境。
3. 最大栅极电荷较低，可实现高效的开关操作。
4. 小型 SOT-23 封装，节省印刷电路板空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 高开关速度，有助于减少开关损耗并提升整体性能。
7. 工作温度范围广，适应各种恶劣条件下的使用需求。
这些特性使得 PMV15ENEA 成为众多便携式电子产品及电源管理系统中的理想选择。
PMV15ENEA 主要应用于以下领域：
1. 负载开关，用于控制不同电路部分的开启或关闭。
2. 电池供电设备中的电源管理，如手机、平板电脑和便携式音频播放器。
3. DC/DC 转换器和逆变器中的功率控制。
4. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
5. 电机驱动电路中的功率级控制。
6. 各种保护电路，例如过流保护和短路保护。
由于其低导通电阻和高可靠性，PMV15ENEA 在这些应用中表现出色，同时还能有效降低能耗。
PMV15EN, BSS138, AO3401A
