SAFFB2G59AA1F0A 是一款高性能的 NAND Flash 存储芯片,广泛应用于需要大容量存储的设备中。该型号属于 Toshiba(现 Kioxia)BiCS FLASH 系列,采用 3D TLC 架构,具备高密度、高速度和低功耗的特点。
这款芯片主要为嵌入式系统、消费类电子产品以及工业应用提供可靠的存储解决方案。
容量:512Gb
接口类型:Toggle Mode 2.0
封装形式:BGA 169 球
工作电压:1.8V / 3.3V
数据传输速率:最高 400MT/s
擦写寿命:约 1000 次(TLC)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
SAFFB2G59AA1F0A 使用了先进的 3D NAND 技术,相较于传统的 2D NAND,在相同面积下能够实现更高的存储密度。
其 Toggle Mode 2.0 接口支持高达 400MT/s 的数据传输速率,显著提升了读写性能。
此外,该芯片具有较低的工作电压,有助于减少能耗并提高设备的续航能力。
其宽泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用,包括工业和汽车领域。
为了确保数据完整性,芯片内置了 ECC(错误校正码)功能,能够有效检测和纠正数据传输中的错误。
SAFFB2G59AA1F0A 广泛应用于对存储容量要求较高的场景,如固态硬盘(SSD)、智能手机、平板电脑、监控录像设备、无人机以及其他嵌入式系统。
在工业领域,它可用于数据记录器、自动化设备和医疗仪器等需要长期可靠存储的应用。
此外,由于其出色的性能和稳定性,该芯片也适合用作企业级存储解决方案的一部分。
SAFFB2G59AC1F0A
SAFFB2G59AB1F0A