时间：2025/8/6 5:47:08
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IXGR40N60B2D1是一款由IXYS公司生产的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，广泛应用于工业电源、逆变器、电机控制、UPS系统等领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适用于高效率和高频率的开关应用。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压(Vce)：600V
最大集电极电流(Ic)：40A
短路耐受能力：100μs
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
导通压降(Vce_sat)：典型值为1.45V @ Ic=40A, Vge=15V
栅极阈值电压(Vge(th))：2.0V至4.0V
输入电容(Cies)：约2000pF
功耗(Pd)：最大125W
IXGR40N60B2D1具备卓越的动态和静态性能，具有低导通压降和快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅场截止技术（Trench Field Stop），显著提高了开关速度和稳定性，同时减少了尾电流。其内置的反并联二极管（Freewheeling Diode）可有效保护IGBT在感性负载下的可靠运行。此外，该模块具有较高的短路耐受能力，能够在恶劣工作条件下提供良好的保护作用。IXGR40N60B2D1还具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在高温环境下运行。
IXGR40N60B2D1广泛应用于多种高功率电子设备中，如交流变频器、伺服驱动器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备以及电动汽车充电系统。其优异的性能使其成为工业自动化、新能源和智能电网等领域的理想选择。
STGYR40N60DF2, FF40R600S1E3_B11, IKW40N60CH3
