时间：2025/5/7 15:36:16
阅读：12
SGW100N025是一种基于硅基技术的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和高开关速度，广泛应用于需要高效能和可靠性的电路中。它通常用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及电机驱动等场景。
型号：SGW100N025
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源极电压(Vds)：25V
连续漏极电流(Id)：100A
栅极电荷(Qg)：40nC
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SGW100N025具有非常低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。此外，其高开关速度使得它可以适应高频应用环境，减少电磁干扰并提高系统性能。
该芯片内置了完善的保护机制，如过温保护和短路保护，以确保在极端条件下的可靠性。
由于采用了优化的封装设计，SGW100N025具备良好的散热性能，适合长时间大电流运行。
其紧凑的封装和高效的电气特性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
SGW100N025适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关
4. 电机驱动电路中的功率输出级
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 高效逆变器和不间断电源(UPS)中的关键组件
IRFZ44N
STP100N2L
FDP160N25A
