时间：2025/9/13 21:25:26
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PZU8.2B3,115 是一款由 NXP Semiconductors 生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件具有精确的击穿电压，典型值为 8.2V，并采用小型 SOD323 表面贴装封装，适用于需要节省空间的电子设备。其设计确保在反向击穿区域工作时，能够保持电压稳定，从而保护后续电路免受电压波动的影响。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：8.2V
最大齐纳电流：100mA（典型值）
最大功耗：300mW
封装形式：SOD323（SOT-323）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
最大反向漏电流（VR < VZ）：100nA（最大值）
最大动态电阻（IZ=5mA）：10Ω
最大齐纳电压变化（ΔVZ）：±5%
PZU8.2B3,115 齐纳二极管具有多项优良的电气和物理特性。首先，它的击穿电压精度高，典型值为 8.2V，公差范围在 ±5% 以内，这使得它非常适合用于需要稳定参考电压的场合，如电源管理、信号调节和基准电压源设计。其次，该器件的最大齐纳电流为 100mA，可以在一定负载条件下维持稳定的输出电压，同时具备较低的动态电阻（在 5mA 电流下最大为 10Ω），有助于减小电压波动，提高系统的稳定性。
此外，PZU8.2B3,115 的最大功耗为 300mW，能够在小型封装中提供良好的功率处理能力。其采用 SOD323（SOT-323）封装，体积小巧，适用于高密度 PCB 设计，并具有良好的热稳定性和机械强度。该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应性强，适用于各种工业和消费类电子产品。
反向漏电流在低于击穿电压时非常低（最大为 100nA），确保在正常工作条件下不会对电路造成不必要的干扰。同时，其快速响应特性使其在瞬态电压抑制（TVS）应用中也能表现出色，有助于提高电路的可靠性。
PZU8.2B3,115 主要用于以下应用场景：电压参考源、电源稳压电路、信号调节电路、过压保护电路、模拟和数字电路中的基准电压提供、低功耗便携设备中的电压调节、工业控制系统中的传感器供电调节、通信设备中的接口保护等。由于其高精度和小封装特性，它也常用于需要空间优化的设计中。
PZU8.2B3,115 可以用以下型号替代：BZX84C8V2、MMBZ5232B、1N4735A、ZMM8V2、PZU8V2B1。这些型号具有相似的击穿电压和电气特性，但在具体应用中需根据电路要求和封装形式进行适当匹配。
