M39PNRA1A0E0ZAS 是一款由知名半导体制造商生产的高速、低功耗 NPN 晶体管。该晶体管广泛应用于开关和放大电路中,适合于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
这款晶体管采用 SOT-23 小型封装形式,有助于节省 PCB 空间,同时具备优异的电气性能和稳定性。
集电极-发射极电压(Vce):40V
集电极电流(Ic):200mA
直流电流增益(hFE):100~300
最大功率耗散(Ptot):350mW
工作温度范围:-55℃~150℃
存储温度范围:-65℃~175℃
M39PNRA1A0E0ZAS 具有以下显著特点:
1. 高增益:直流电流增益 hFE 在 100 至 300 范围内,可确保精确的电流控制。
2. 低饱和电压:其集电极-发射极饱和电压较低,有助于提高效率。
3. 快速开关能力:适合高频应用,能够快速响应信号变化。
4. 小型化设计:SOT-23 封装使其适用于空间受限的设计场景。
5. 稳定性高:在宽温度范围内保持稳定的电气性能,适用于严苛的工作环境。
6. 低噪声:非常适合对噪声敏感的应用场合。
M39PNRA1A0E0ZAS 主要用于以下领域:
1. 开关电路:如继电器驱动、LED 驱动等。
2. 放大电路:音频放大器、信号放大器等。
3. 消费类电子产品:手机充电器、便携式设备中的电源管理。
4. 工业控制:传感器接口、电机控制等。
5. 通信设备:信号调节和传输电路中的关键元件。
6. 自动化系统:机器人控制模块中的信号处理部分。
MMBT3904LT1G, KSC39N20U3, PN2222A